20世纪初，被毛皮商人带至美国。
(d)曲线表示环境条件下硼烯薄片的厚度约为3 Å。(a)在Cu(111)上生长的厚约4个单层表面包覆物的硼烯的明场LEEM图像。
然而，本次通过在Cu(111)表面上生长硼烯，得到了尺寸高达100μm2的大的单晶畴，进而发现硼烯的晶体结构为新奇的三角网络，且存在浓度为1/5的六角空位。投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。设计异质结需要合成大尺寸畴，因而，从器件制备的角度看这是至关重要的。
【小结】以Cu和Ag为衬底的数据均表明，原子级别厚度的二维硼烯薄片的形成是一个自限制过程，基于原子级的二维薄膜有利于异质结的合成，超过1个原子层厚度时，即使硼的流量持续增加，其在Cu和Ag上的生长速率仍会有显著下降。(e)硼烯的超高分辨STM数据。
其次，该工作阐释了选择不同的衬底材料时其余的几种差异，如生长动力学、引入的原子流量或衬底温度对结构的影响、膜层附着力和起伏(rippling)性质。
(g)硼原子和连接键的硼烯结构球棍模型示意图，通过DFT模拟，红色点划线延续了(e)图中基本的锯齿模式。参考文献：[1]P.Král,M.Shapiro,Phy. Rev. Lett. 2001,86,131.[2]S.Ghosh,A.K.Sood,N.Kumar,Science 2003,299,1042.[3]Q.Yuan,Y.P.Zhao,J. Am. Chem. Soc. 2009,131,6374.[4]Z.Liu,K.Zheng,L.Hu,J.Liu,C.Qiu,Adv.Mater. 2010,22,999.[5]Y.Xu,P.Chen,J.Zhang,S.Xie,F.Wan,J.Deng,X.Cheng,Y.Hu,M.Liao,B.Wang,X.Sun,H.Peng,Angew. Chem. Inter.Ed. 2017,56,12940.[6]S.He,Y.Zhang,L.Qiu,L.Zhang,Y.Xie,J.Pan,P.Chen,B.Wang,X.Xu,Y.Hu,C.T.Dinh,P.DeLuna,M.N.Banis,Z.Wang,T.Sham,X.Gong,B.Zhang,H.Peng,E.H.Sargent,Adv.Mater. 2018,30,1707635.[7]R.Liu,C.Liu,S.Fan,ACS Appl. Mater. Inter. 2018,10,35273.本文由材料人科技顾问艾佳供稿，编辑部编辑整理。
他们的研究表明水分子和CNT之间的电荷转移相互作用具有局部极化特性。他们认为发电机制并不是PetrKrál等人之前提出的动量转移过程，而是由液-固界面附近的速度梯度产生的局部中性电荷的波动不平衡引起的。
与PCNT（0.129eV）相比，OCNT上水分子的结合能更高（0.772eV），这表明极化系统中的相互作用更强。他们观察到电压输出对流速和极性以及液体离子浓度的对数依赖性。